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SI4090DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:19.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC初级侧开关。 电信/服务器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4090DY-T1-GE3
- 商品编号
- C511045
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,19.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.41nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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