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SI6562CDQ-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6.7A 6.1A
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- 描述
- 特性：无卤TrenchFET功率MOSFET。应用：负载开关。DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI6562CDQ-T1-GE3
- 商品编号
- C511051
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.081克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A；6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,5.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W；1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
~~- 无卤-TrenchFET功率MOSFET
应用领域
- 负载开关-DC/DC转换器-N沟道MOSFET-P沟道MOSFET