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SIA469DJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：TrenchFET第二代p沟道功率MOSFET。热增强型PowerPAK SC-70封装。100% Rg测试。应用：负载开关。DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA469DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C511400
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6-Single
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.5mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 热性能增强型PowerPAK SC-70封装
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 负载开关
- 直流-直流转换器
- 高速开关
- 电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理