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SIB441EDK-T1-GE3
1个P沟道 耐压:12V 电流:9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-75封装。 小尺寸。 低导通电阻。 典型ESD性能2500 V。 100% Rg测试。应用：便携式设备，如智能手机、平板电脑和移动计算设备。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIB441EDK-T1-GE3
- 商品编号
- C511411
- 商品封装
- PowerPAK-SC-75-6L-Single
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25.5mΩ@3.7V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 265pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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