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SIR826DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:60A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR826DP-T1-GE3
- 商品编号
- C511021
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义，无卤素
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 固定电信-负载点(POL)-DC/DC 转换器-初级和次级侧开关
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