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SIR826DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:60A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR826DP-T1-GE3
- 商品编号
- C511021
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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