温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIS488DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:19.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 能够使用5V栅极驱动运行。应用：同步整流。 同步降压转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS488DN-T1-GE3
- 商品编号
- C511037
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,9.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- SI4090DY-T1-GE3
- SI6562CDQ-T1-GE3
- SI5935CDC-T1-GE3
- IRFIBF30GPBF
- SIA441DJ-T1-GE3
- 2N7002-T1-GE3
- IRFS9N60ATRLPBF
- SIRA64DP-T1-GE3
- SIRA24DP-T1-GE3
- SIR871DP-T1-GE3
- SIA469DJ-T1-GE3
- SIB441EDK-T1-GE3
- SQ4917EY-T1_GE3
- SIB457EDK-T1-GE3
- SIR873DP-T1-GE3
- SQ1421EDH-T1_GE3
- SI8416DB-T2-E1
- SQJ457EP-T1_GE3
- SQSA80ENW-T1_GE3
- SI4447ADY-T1-GE3