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2N7002-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
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- 描述
- 特性：低导通电阻：2.5 Ω。 低阈值：2.1 V。 低输入电容：22 pF。 快速开关速度：7 ns。 低输入和输出泄漏。 低失调电压。应用：高速电路。 电池供电系统
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- 2N7002-T1-GE3
- 商品编号
- C511350
- 商品封装
- TO-236-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,0.115A | |
| 耗散功率(Pd) | 80mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 低导通电阻：2.5 Ω
- 低阈值：2.1 V
- 低输入电容：22 pF
- 快速开关速度：7 ns
- 低输入和输出泄漏
- 低失调电压
- 低电压工作
- 无需缓冲器即可轻松驱动
- 高速电路
- 低误差电压
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器