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SIA432DJ-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:10.1A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸面积。 100% UIS测试。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA432DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C511012
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6-Single
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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