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SIA923EDJ-T1-GE3
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装。 小封装面积。 低欧姆电阻。 典型 ESD 保护：2500 V。应用：便携式设备的充电器开关和负载开关。 DC/DC 转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA923EDJ-T1-GE3
- 商品编号
- C511005
- 商品封装
- PowerPAK-SC-70-6-Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V,3.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- 沟槽场效应晶体管（TrenchFET）功率 MOSFET
- 新型热增强型 PowerPAK SC-70 封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 典型静电放电（ESD）保护：2500 V
- 100%进行 Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的充电器开关和负载开关-DC/DC 转换器
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