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SI4114DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:15.2A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规，无卤可用。应用：同步降压的低端MOSFET。 游戏机
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4114DY-T1-GE3
- 商品编号
- C511008
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步降压电路的低端MOSFET
- 游戏机
- 个人电脑
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