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SIA533EDJ-T1-GE3实物图
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SIA533EDJ-T1-GE3

1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:4.5A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 典型ESD保护：n沟道1500V，p沟道1000V。 100% Rg测试。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIA533EDJ-T1-GE3
商品编号
C511004
商品封装
PowerPAK-SC-70-6-Dual​
包装方式
编带
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))59mΩ@4.5V,4.5A
耗散功率(Pd)1.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))400mV
栅极电荷量(Qg)7.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)545pF@6V
反向传输电容(Crss)175pF@6V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

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