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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOS7DN03

双N沟道MOSFET

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私有库下单最高享92折
描述
N+N管/30V/7A/25mΩ/(典型17mΩ)
商品型号
DOS7DN03
商品编号
C49441953
商品封装
SOP-8D​
包装方式
编带
商品毛重
0.189867克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))26mΩ@4.5V;17mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)380pF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)67pF

商品特性

  • VDS = 30 V, ID = 7 A, RDS(ON) < 25 m Ω(在 VGS = 10 V 时)
  • 低栅极电荷。
  • 提供环保型器件。
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
  • 采用散热性能良好的出色封装。

应用领域

  • 负载开关
  • 开关电路
  • 高速线路驱动器
  • 电源管理功能

数据手册PDF