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DON627
N+P通道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N+P管/30V/42A/8mΩ/(典型6.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON627
- 商品编号
- C49441960
- 商品封装
- DFN5x6-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W；24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.36V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V；22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF；1.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF；178pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF；189pF |
商品特性
- N沟道: VDS = 30 V , ID = 42 A ,在 VGS = 10 V 时, RDS(ON) < 8 m Ω (典型值: 6.5 m Ω )
- P沟道: VDS = -30 V , ID = -35 A ,在 VGS = -10 V 时, RDS(ON) < 12 m Ω (典型值: 9 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
- MSL3