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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOZ45N03T

N沟道MOSFET采用先进SGT技术和设计,提供低导通电阻和低栅极电荷

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描述
SGT工艺/N管/30V/45A/6.5mΩ/(典型5.5mΩ)
商品型号
DOZ45N03T
商品编号
C49441964
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.217107克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V;7.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)26W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.3nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)284pF

数据手册PDF