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DOY180N03T

N沟道MOSFET

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描述
SGT工艺/N管/30V/180A/1.2mΩ/(典型1mΩ)
商品型号
DOY180N03T
商品编号
C49441966
商品封装
TDFN3333-8PL​
包装方式
编带
商品毛重
0.119734克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))1mΩ@10V
耗散功率(Pd)379W
阈值电压(Vgs(th))1.3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)39.8nC@10V
输入电容(Ciss)2.9nF
反向传输电容(Crss)86pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.406nF

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