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DON4N65S
N沟道MOSFET采用先进超结技术和设计
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- 描述
- 超结工艺/N管/650V/3.5A/1200mΩ/(典型1000mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON4N65S
- 商品编号
- C49441965
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
商品概述
这款 P 型场效应晶体管是采用先进“功率沟槽”工艺制造的坚固型栅极产品。它经过优化，适用于需要多种栅极驱动电压范围（4.5V 至 25V）的电源管理应用。
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻
应用领域
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用