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DOB130N15T

N沟道MOSFET

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描述
SGT工艺/N管/150V/130A/7mΩ/(典型6mΩ)
商品型号
DOB130N15T
商品编号
C49441967
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.954444克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)240W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)130nC@10V
输入电容(Ciss)9nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)529pF

商品概述

UTC 12N10 是一款 N 型模式功率 MOSFET,采用 UTC 先进技术,为客户提供极低的导通电阻,适用于极密的电池单元设计,具备坚固的雪崩特性以及较简化的对齐步骤。

商品特性

  • VDS = 150 V,ID = 130 A,RDS(ON) < 7 m Ω(VGS = 10 V 时,典型值为 6 m Ω )
  • 低栅极电荷
  • 提供环保型器件
  • 采用先进的高单元密度SGT技术,实现超低RDS(ON)
  • 采用散热性能良好的优质封装
  • 湿度敏感度等级3(MSL3)

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能
  • 同步整流应用

数据手册PDF