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DO4484
N沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N管/40V/12A/9mΩ/(典型6.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4484
- 商品编号
- C49441971
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF |
商品概述
UTC 1N60 是一款高电压 MOSFET，其设计旨在具备更出色的特性，例如快速的开关时间、低栅极电荷、低通态电阻以及具有较高的抗雪崩特性。这种功率 MOSFET 通常用于电源中的高速开关应用、脉宽调制电机控制、高效直流至直流转换器以及桥式电路中。
商品特性
- VDS = 40 V, ID = 12 A, RDS(ON) < 9 m Ω (在 VGS = 10 V 时)(典型值:6.8 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级3(MSL3)