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DO4421
P沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- P管/-60V/-9A/35mΩ/(典型28mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4421
- 商品编号
- C49441970
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189734克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.69V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60 V,漏极电流(ID) = -9 A,在栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 35 mΩ(典型值:28 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级(MSL)为3级
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