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DOB150N03
N沟道MOSFET具备低栅极电荷和低导通电阻
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- 描述
- N管/30V/150A/3mΩ/(典型2.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOB150N03
- 商品编号
- C49441961
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.967037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V；2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 499pF |
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 150 A,RDS(ON) < 3 m Ω,@ VGS = 10 V
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器