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DOS9DN03
双N沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N+N管/30V/9A/13mΩ/(典型10mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS9DN03
- 商品编号
- C49441954
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193621克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源极电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 9 A,当栅源极电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 13 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的优质封装