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DOS6P03
P沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- P管/-30V/-5.1A/55mΩ/(典型43mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS6P03
- 商品编号
- C49441956
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽工艺和设计，可提供低栅极电荷和出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -5.1 A,当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽工艺,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能出色