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DOW8P02
P沟道MOSFET具备低栅极电荷和低导通电阻
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- 描述
- P管/-20V/-8A/20mΩ/(典型15mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOW8P02
- 商品编号
- C49441951
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1427克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.199nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V，漏极电流ID = -8 A，当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ（典型值：15 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为3级（MSL3）