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DO4407A
P沟道MOSFET低栅极电荷低导通电阻
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- 描述
- P管/-30V/-12A/14mΩ/(典型9.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4407A
- 商品编号
- C49317983
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 341pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V，漏极电流（ID） = -12 A，当栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 14 mΩ（典型值：9.3 mΩ）
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的出色封装。