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DO4411
P沟道MOSFET具备低栅极电荷和低导通电阻
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- 描述
- P管/-30V/-9A/25mΩ/(典型19mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4411
- 商品编号
- C49317985
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.230769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），以最小化传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器