温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DO4411
P沟道MOSFET具备低栅极电荷和低导通电阻
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P管/-30V/-9A/25mΩ/(典型19mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4411
- 商品编号
- C49317985
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.230769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON) 。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V, ID = -9 A, RDS(ON) < 25 m Ω (在 VGS = -10 V 时,典型值为 19 m Ω )
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器