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DO4800
双N沟道MOSFET，先进沟槽技术，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N+N管/30V/7A/25mΩ/(典型17mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4800
- 商品编号
- C49317992
- 商品封装
- SOP-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 18 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 6 mΩ（典型值：4.8 mΩ）
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能出色。