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PTVSHC2EN4V5B-HXY

单线路单向瞬态电压抑制器

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描述: 该静电和浪涌保护器件采用双向设计，支持160A峰值脉冲电流（IPP）的瞬态电压吸收能力，适用于需要较强抗干扰能力的电路环境。其反向工作电压为4.5V（VRWM），可在较宽电压范围内稳定运行。单通道设计结合300pF的结电容（CJ），适合用于低频信号线路或电源路径的保护。该器件广泛应用于消费类电子产品中的USB接口、电池管理模块以及各类通用电子设备的敏感电路中，提供高效、可靠的过压和静电放电防护功能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PTVSHC2EN4V5B-HXY
商品编号: C49317999
商品封装: DFN1610-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.018121克(g)

商品参数

商品概述

PTVSHC2EN4V5B TVS二极管旨在替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV）。它具有卓越的电气特性和高浪涌能力。该二极管用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。PTVSHC2EN4V5B采用DFN1610 - 2L封装，可保护一条双向线路。根据IEC61000 - 4 - 2标准，它可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达160A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气）
±30kV（接触）
峰值功耗：3200W（8/20μs）
工作电压：4.5V
低泄漏电流
低钳位电压
超小型封装（1.6mmx1.0mmx0.5mm）
固态硅雪崩技术

应用领域

-电源线-个人数字助理(PDA)-基于微处理器的设备-笔记本电脑、台式电脑和服务器-手机及配件-便携式电子设备-外围设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	4.5V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	160A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	3.2kW@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压	6.4V
	反向电流(Ir)	1uA
	防护等级	IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	500pF