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PTVSHC3N4V5B-HXY

单线路单向瞬态电压抑制器

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描述: 该静电和浪涌保护器件采用双向设计，适用于多种电路中对瞬态电压的高效抑制。其最大峰值电流（IPP）为240A，具备出色的能量吸收能力，可有效保护电路免受静电和浪涌干扰。工作反向电压（VRWM）为4.5V，适用于低电压信号线路的防护需求。结电容（CJ）为1000pF，在确保保护性能的同时兼顾信号完整性。该器件支持2通道线路保护，适合用于通信接口、便携设备及精密电子系统中的多路信号线防护，提供快速响应与长期稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PTVSHC3N4V5B-HXY
商品编号: C49318002
商品封装: DFN-3(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.02408克(g)

商品参数

商品概述

PTVSHC3N4V5B TVS二极管旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）。它具有卓越的电气特性，如低钳位电压、低泄漏电流和高浪涌能力。该二极管用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。 PTVSHC3N4V5B采用DFN2X2 - 3L封装，可保护一条单向线路。根据IEC61000 - 4 - 2标准，它可提供高达±30kV（接触和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达180A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

商品特性

高速数据线瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气），±30kV（接触）
峰值功耗：5040W（8/20μs）
工作电压：4.5V
低泄漏电流
低钳位电压
超小型封装（2.0mmx2.0mmx0.5mm）
固态硅雪崩技术

应用领域

-电源线-个人数字助理(PDA)-基于微处理器的设备-笔记本电脑、台式电脑和服务器-手机及配件-便携式电子设备-外设

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	4.5V
	钳位电压	21V
	峰值脉冲电流(Ipp)	240A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	5.04kW@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压	6.1V
	反向电流(Ir)	1uA
	防护等级	IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	1000pF