温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PTVSHC3N18VU-HXY

单线路单向瞬态电压抑制器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 本产品为静电和浪涌保护器件，适用于需要高可靠性和稳定性的电路防护场合。其主要参数包括：最大通流能力（IPP）为140A，反向工作电压（VRWM）为18V，结电容（CJ）为900pF，支持2通道（LINE）保护，采用单向（Uni）设计。该器件能够有效吸收和泄放瞬态过电流，防止电压尖峰对后级电路造成损害，广泛应用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的信号线路保护。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PTVSHC3N18VU-HXY
商品编号: C49318003
商品封装: DFN-3(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024415克(g)

商品参数

商品概述

PTVSHC3N18VU TVS二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它具有出色的电气特性，如低钳位电压、低泄漏电流和高浪涌能力。该二极管旨在保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。 PTVSHC3N18VU采用DFN2X2 - 3L封装，可保护一条单向线路。根据IEC61000 - 4 - 2标准，它可提供高达±30kV（接触放电和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达180A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气放电）
±30kV（接触放电）
峰值功率耗散：5460W（8/20μs）
工作电压：18V
低泄漏电流
低钳位电压
超小封装（2.0mmx2.0mmx0.5mm）
固态硅雪崩技术

应用领域

-电源线-个人数字助理(PDA)-基于微处理器的设备-笔记本电脑、台式电脑和服务器-手机及配件-便携式电子设备-外围设备

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	18V
	钳位电压	39V
	峰值脉冲电流(Ipp)	140A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	5.46kW@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压	23V
	反向电流(Ir)	1uA
	防护等级	IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	900pF