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SZMMBZ15VALT1G-HXY
15V 50nA
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- 描述
- 该静电和浪涌保护器件采用单向（Uni）结构，具备1.9A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，可快速泄放静电及瞬态过电压能量，保障后级电路安全。其反向工作电压（VRWM）为12V，适用于中低电压信号线路的防护需求。器件集成2通道（LINE）设计，支持多路信号线同时保护，节省空间并提升布局灵活性。该产品适用于各类电子设备中对敏感电路进行电压抑制与瞬态保护的应用场景。
- 商品型号
- SZMMBZ15VALT1G-HXY
- 商品编号
- C49318007
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024497克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 稳压二极管 | |
| 二极管配置 | 1对共阳极 | |
| 稳压值(标称值) | 15V | |
| 反向电流(Ir) | 50nA | |
| 稳压值(范围值) | 14.25V~15.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阻抗(Zzt) | - | |
| 阻抗(Zzk) | - | |
| 工作结温范围 | -55℃~+150℃ | |
| 精度 | - |
商品概述
该双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。适用于计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他对电压和静电放电敏感的设备的保护。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立的线路。这些器件非常适合电路板空间受限的情况。
商品特性
- SOT-23封装支持两种独立的单向配置或单一的双向配置。
- 工作峰值反向电压为15V。
- 标准齐纳击穿电压范围为5.1V至33V。
- 峰值功率为40W。
- 静电放电等级：人体模型符合3B级（>16kV），机器模型符合C级（>400V）。
- 符合IEC61000-4-2标准4级静电放电等级。
- 低漏电流 < 5.0 μA。
应用领域
- 计算机
- 打印机
- 商用机器
- 通信系统
- 医疗设备
- SZMMBZ18VALT1G-HXY
- PESD15VS1UB-HXY
- PESD24VL2BT-HXY
- TL-HC32L021-Mini
- STK-HC32L021
- BWEFMI032GN2RJ
- LMP25NF3P0R001S
- LMP25NF3P0R002
- LMP25NF3P0R003
- LMP25NF3P0R004
- LMP25NF3P0R010
- LMP25NF3P0R015
- LMP25NF3P0R020
- LMP25NF3P0R030
- LMP25NF3P0R100
- LRF12AF1P0R100
- LRF12AF1P0R150
- LRF12AF1P0R200
- LRF12AF1P0R300
- LRF12AF1P0R330
- LRF12AF1P0R390