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DOS7P04
P沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- P管/-40V/-7.2A/45mΩ/(典型36mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS7P04
- 商品编号
- C49317997
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.263636克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40 V，漏极电流（ID） = -7.2 A，当栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ（典型值：36 mΩ）
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的出色封装。
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