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RCLAMP7524T.TNT-HXY

超低电容ESD保护阵列

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描述: 该静电和浪涌保护器件采用单向设计，具备4A的峰值脉冲电流（IPP）能力，可有效吸收瞬态电压冲击。其反向工作电压为5V（VRWM），确保在正常工作条件下稳定运行。器件集成4个通道，适用于多线路保护场景，0.4pF的低结电容（CJ）有助于减少信号失真，保持高频信号完整性。该产品适用于通信接口、便携式电子设备及敏感电路的防护，提供可靠的电气保护并维持系统稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RCLAMP7524T.TNT-HXY
商品编号: C49317998
商品封装: DFN1308-5L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.019095克(g)

商品参数

商品概述

RCLAMP7524T.TNT是一款超低电容ESD保护阵列，专为高速数据接口保护而设计。该器件的典型电容（I/O到I/O）仅为0.2pF，旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000-4-2（ESD）4级标准（±8KV接触放电、±15KV空气放电）、IEC61000-4-4（电气快速瞬变脉冲群 - EFT）（40A、5/50ns）、超快带电设备模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等要求。RCLAMP7524T.TNT采用超小型DFN1308-5L封装。每个RCLAMP7524T.TNT器件可保护四条高速数据线。超低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等特性的结合，使RCLAMP7524T.TNT非常适合高速数据端口和高频线路（如HDMI和DVI）应用。RCLAMP7524T.TNT的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

商品特性

高速数据线瞬态保护
IEC 61000-4-2（ESD）：±25 kV（空气放电）、±20 kV（接触放电）
IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50 ns）电缆放电事件（CDE）
针对高速线路优化的封装
超小型封装（1.3mm×0.8mm×0.5mm）
保护一条数据和控制线
低电容：0.2 pF（I/O到I/O）
低漏电流
低钳位电压

应用领域

串行ATA
PCI Express
台式机、服务器和笔记本电脑
MDDI端口
USB 2.0/3.0电源和数据线保护
高清晰度多媒体接口（HDMI）
数字视频接口（DVI）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	击穿电压	9V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	防护等级	IEC 61000-4-4
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.2pF