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DO4438
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N管/60V/10A/18mΩ/(典型15.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4438
- 商品编号
- C49317990
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 141pF |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷Qg
- 经过100% UIS和Rg测试
- 无铅引脚镀层
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- DC/DC和AC/DC（同步整流）子系统中的电流切换
- 电动工具、电动汽车、机器人领域的电机驱动