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DO4446
N沟道MOSFET提供低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- N管/30V/18A/6mΩ/(典型4.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4446
- 商品编号
- C49317987
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.614nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品特性
- VDS = 30 V, ID = 18 A, RDS(ON) < 6 m Ω \cdot @ VGS = 10 V(典型值:4.8mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 封装散热性能出色。
应用领域
- DC-DC转换器
- 便携式设备
- 电源管理