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DO4413
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术实现低导通电阻及低栅极电荷
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- 描述
- P-ch/-30V/-15A/10mΩ(典型值7.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4413
- 商品编号
- C49317984
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -15 A，在栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 10 mΩ（典型值：7.5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能出色