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DO4440
N沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N管/60V/6A/36mΩ/(典型27mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4440
- 商品编号
- C49317982
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1862克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 6 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 36 mΩ（典型值：27 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好