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DO4406A
N沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N管/30V/12A/8mΩ/(典型6.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4406A
- 商品编号
- C49317981
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON) 。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 30 V, ID = 12 A, RDS(ON) < 8 m Ω @ VGS = 10 V(典型值:6.5mΩ)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源