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DO4406A
N沟道MOSFET，低栅极电荷，低导通电阻
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- 描述
- N管/30V/12A/8mΩ/(典型6.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4406A
- 商品编号
- C49317981
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
AUIRFR2905ZTRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 50A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源