温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DO4466
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N管/30V/9A/20mΩ/(典型16mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4466
- 商品编号
- C49317980
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.230769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 484pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 = -30 V，漏极电流 = -9 A，栅源电压 = -10 V时，漏源导通电阻 < 25 mΩ（典型值：19 mΩ）
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻。
- 封装散热性能出色。