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CMD3N120
N场 1200V 3A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：N场，耐压：1200V，电流：3A，10V内阻：6.4Ω，4.5V内阻：6.Ω，功率：100W，COSS(TYP):950PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3N120
- 商品编号
- C49208270
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低导通电阻 RDS(ON)
- 防潮等级 1 级
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 漏源电压 VDS 40V
- 漏极电流 ID 150A
- 导通电阻 RDS(ON)（栅源电压 VGS = 10V 时）<1.5mΩ
- 导通电阻 RDS(ON)（栅源电压 VGS = 4.5V 时）<2.2mΩ
- 100% 进行了抗雪崩能力测试
- 100% 进行了漏源电压变化测试
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器