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CMD65R360D
N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- COOLMOS，封装：TO-252，极性：N场，耐压：650V，电流：11A，10V内阻：0.36Ω，功率：85W，COSS(TYP):500PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R360D
- 商品编号
- C49208273
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(ON) 的高密度单元设计
- 湿气敏感度等级 1
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
商品特性
- VDS 40V
- ID 150A
- RDS(ON)（VGS = 10V 时）< 1.5mΩ
- RDS(ON)（VGS = 4.5V 时）< 2.2mΩ
- 100% 进行 EAS 测试
- 100% 进行 ∇VDS 测试
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源
- DC-DC 转换器