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CMD019N04L
N场 40V 150A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，极性：N场，耐压：40V，电流：150A，10V内阻：0.0019Ω，4.5V内阻：0.002Ω，功率：150W，COSS(TYP):5700PF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD019N04L
- 商品编号
- C49208263
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3745克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
IRF7306是采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道增强型功率效应晶体管。 这种高密度工艺尤其能够将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用电源管理DC - DC转换器。
商品特性
- -30V/-6.5A
- RDS(ON) = 36mΩ（典型值）@ VGS = -10V
- RDS(ON) = 50mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
- P沟道MOSFET
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理