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DGTD120T40S1PT-HXY
1.2kV 80A
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- 描述
- 本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）40A、集射极击穿电压（Vces）1200V的高耐压与大电流能力，适合需要高效能功率转换的应用场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有效降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管的正向电流（IF）可达40A，正向压降（Vf）为1.85V，支持快速恢复特性。该器件适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等领域，提供稳定可靠的功率控制性能。
- 商品型号
- DGTD120T40S1PT-HXY
- 商品编号
- C49003402
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.073333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 输出电容(Coes) | 157pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 346nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.98nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 262ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 94ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 93pF |
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