MBQ40T120QESTH-HXY

1.2kV 80A

描述

本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计，能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MBQ40T120QESTH-HXY

商品编号

C49003413

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.07克(g)