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MBQ40T120QESTH-HXY
1.2kV 80A
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- 描述
- 本产品为IGBT管/模块，具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，在保证性能的同时有效控制导通损耗。内置二极管可支持40A的正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，表现出良好的导通特性和热稳定性。该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计，能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。
- 商品型号
- MBQ40T120QESTH-HXY
- 商品编号
- C49003413
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 346nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.98nF | |
| 输出电容(Coes) | 157pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 93pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 262ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 94ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MBQ40T120QESTH采用先进的沟槽和场截止技术，可降低导通损耗，改善开关性能并增强雪崩能量。
商品特性
- 正温度系数
- 快速开关
- 低VCE(sat)
- 可靠且坚固
- 通过AEC-Q101认证
- 175°C工作温度
- 提供无卤素和环保器件
- 符合RoHS标准
应用领域
- PTC电机驱动
- 车载充电器