MIW40N120FLA-BP-HXY

1.2kV 80A

描述

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces)，适用于高电压、中等功率的电力转换应用。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V，能够在较高电压环境下保持稳定的导通性能。内置续流二极管支持40A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，提供良好的电流流通与续流能力。模块采用坚固封装结构，具有出色的热稳定性和可靠性，适用于多种电源变换系统中的高频开关操作。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MIW40N120FLA-BP-HXY

商品编号

C49003428

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.076667克(g)