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IXGH40N120A2-HXY
1.2kV 80A
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- 描述
- 本IGBT管/模块具有40A集电极电流（Ic）和1200V集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升整体能效。内置二极管支持40A正向电流（IF），正向压降（Vf）为2.5V，具备良好的续流性能与稳定性。该器件适合应用于电源转换、储能装置及高效开关电路等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计方案。
- 商品型号
- IXGH40N120A2-HXY
- 商品编号
- C49003443
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.786667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 输出电容(Coes) | 161pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5.047nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 48ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.65mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.6mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 375ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 35pF |
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