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APT68GA60B-HXY
650V 70A
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- 描述
- 本IGBT管/模块具备40A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），满足中高功率场景下的开关需求。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效控制导通损耗。内部集成续流二极管，其正向电流（IF）达40A，正向压降（Vf）为1.8V，确保稳定工作。该器件适用于电源变换、智能电网、高性能电子设备等应用场景，具备良好的热稳定性与开关性能，可为系统提供高效可靠的支持。
- 商品型号
- APT68GA60B-HXY
- 商品编号
- C49003455
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 110pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.52nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 136ns | |
| 导通损耗(Eon) | 900uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 430uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF |
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