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RGTH00TS65GC11-HXY
650V 80A
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- 描述
- 本产品为高性能IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的优良参数表现。在导通状态下，集射极饱和电压（VCE(sat)）仅为1.6V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.85V。适用于需要高效能功率转换与稳定电气特性的多样化场景，提供可靠的技术支持和运行稳定性。
- 商品型号
- RGTH00TS65GC11-HXY
- 商品编号
- C49003462
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输出电容(Coes) | 139pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.916nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF |
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