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IGW50N65F5-HXY
650V 80A
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- 描述
- 该IGBT模块具有50A的集电极电流(Ic)和650V的集射极击穿电压(Vces)，适用于中高功率应用场景。其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.6V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。内置二极管可承受50A的正向电流(IF)，正向压降(Vf)为1.85V，具备良好的反向恢复特性。模块采用高可靠封装工艺，适用于电源变换、智能电网、新能源控制等领域，提供稳定高效的开关性能。
- 商品型号
- IGW50N65F5-HXY
- 商品编号
- C49003465
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.893333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.916nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 139pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 13pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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