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APT75GP120B2G-HXY
1.2kV 150A
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- 描述
- 本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于高电压与大电流工作环境。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于降低导通损耗，提升系统效率。内置二极管支持75A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.9V，表现出优异的开关性能与稳定性。该器件可广泛应用于高效能电力电子系统，如智能电网、新能源转换、精密电机控制等领域，满足对效率与可靠性的高标准需求。
- 商品型号
- APT75GP120B2G-HXY
- 商品编号
- C49003485
- 商品封装
- TO-247P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 930W | |
| 输出电容(Coes) | 312pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 321nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.812nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 46ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 185ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.69mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.75mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 400ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 61pF |
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