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IGW50N60H3-HXY
650V 80A
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- 描述
- 该IGBT模块具有50A集电极电流（Ic）和650V集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电子系统。其1.6V的饱和压降（VCE(sat)）可有效减少导通损耗，提升转换效率。内置二极管支持50A正向电流（IF），正向压降（Vf）为1.85V，具备良好的导通特性和热稳定性。模块采用优化的封装结构，兼顾散热性能与电气隔离，适用于电源变换器、智能电网设备、新能源控制系统等高性能场景，提供高效、可靠的开关解决方案。
- 商品型号
- IGW50N60H3-HXY
- 商品编号
- C49003467
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.886667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.916nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.35mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 510uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
优惠活动
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